METAL-SILICON INTERFACE FORMATION - THE NI-SI AND PD-SI SYSTEMS

被引：113

作者：

GRUNTHANER, PJ

GRUNTHANER, FJ

MADHUKAR, A

MAYER, JW

机构：

[1] UNIV SO CALIF, LOS ANGELES, CA 90007 USA

[2] CORNELL UNIV, ITHACA, NY 14853 USA

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1981年 / 19卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.571079

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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