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PREPARATION OF EPITAXIAL GAXIN1-XAS
被引:51
作者
:
CONRAD, RW
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CONRAD, RW
HOYT, PL
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HOYT, PL
MARTIN, DD
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MARTIN, DD
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1967年
/ 114卷
/ 2P1期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2426530
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:164 / &
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[11]
GROWTH OF (GA+IN1-+)AS SINGLE CRYSTALS BY VAPOR PHASE REACTION
SIRRINE, R
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SIRRINE, R
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
(06)
: 750
-
751
[12]
ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GAAS-INAS ALLOYS
WOOLLEY, JC
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GILLETT, CM
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GILLETT, CM
[J].
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON,
1961,
77
(495):
: 700
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[11]
GROWTH OF (GA+IN1-+)AS SINGLE CRYSTALS BY VAPOR PHASE REACTION
SIRRINE, R
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SIRRINE, R
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
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: 750
-
751
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ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GAAS-INAS ALLOYS
WOOLLEY, JC
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GILLETT, CM
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GILLETT, CM
[J].
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON,
1961,
77
(495):
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