TEMPORARY TRAPS IN SILICON AND GERMANIUM

被引：86

作者：

HAYNES, JR

HORNBECK, JA

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1953年 / 90卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.90.152.2

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：152 / 153

页数：2

相关论文

共 1 条

[1] THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN SILICON [J].

HAYNES, JR ;

WESTPHAL, WC .

PHYSICAL REVIEW, 1952, 85 (04) :680-680