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THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN SILICON

被引：29
作者：
HAYNES, JR
WESTPHAL, WC
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW | 1952年 / 85卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRev.85.680
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
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页码：680 / 680
页数：1
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共 2 条
[1]   THE MOBILITY AND LIFE OF INJECTED HOLES AND ELECTRONS IN GERMANIUM [J].
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[2]   ELECTRICAL PROPERTIES OF PURE SILICON AND SILICON ALLOYS CONTAINING BORON AND PHOSPHORUS [J].
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