ANOMALOUS RESISTIVITY PROFILES IN LONG SILICON CRYSTALS GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD

被引：7

作者：

VOLTMER, FW ^{[1
]}

DIGGES, TG ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(73)90115-2

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：215 / 217

页数：3

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共 3 条

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