IONISED IMPURITY SCATTERING IN SILICON SURFACE CHANNELS

被引：20

作者：

BERZ, F

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90075-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：903 / &

共 5 条

[1] TRANSPORT PROPERTIES OF ELECTRONS IN INVERTED SILICON SURFACES
FANG, FF
FOWLER, AB
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1968, 169 (03): : 619 - +
[2] CARRIER MOBILITY IN SILICON MOSTS
MURPHY, NSJ
BERZ, F
FLINN, I
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1969, 12 (10) : 775 - +
[3] Schiff L. I., 1955, QUANTUM MECH, Vsecond
[4] Smith R. A., 1959, SEMICONDUCTORS
[5] PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR SURFACE INVERSION LAYERS IN ELECTRIC QUANTUM LIMIT
STERN, F
HOWARD, WE
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1967, 163 (03): : 816 - &