COLD AND LOW-ENERGY ION ETCHING (COLLIE)

被引：39

作者：

FUJIWARA, N

SHIBANO, T

NISHIOKA, K

KATO, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1989年 / 28卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.2147

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2147 / 2150

页数：4

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共 5 条

[1]

FUJIWARA N, 1988, 10TH P S DRY PROC TO, P9

[2]

FUJIWARA N, 1988, 1ST MICR C TOK, P92

[3] REACTIVE ION-BEAM ETCHING USING A BROAD BEAM ECR ION-SOURCE [J].

MATSUO, S ;

ADACHI, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1982, 21 (01) :L4-L6

[4]

Nishioka K., 1986, International Electron Devices Meeting 1986. Technical Digest (Cat. No.86CH2381-2), P308

[5]

TAKEHARA D, 1988, 10TH P S DRY PROC TO, P15