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MAPPING OF ELECTRICAL LEAKAGE IN TRANSISTORS BY ANODIC-OXIDATION
被引:10
作者
:
KULKARNI, MV
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0
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0
KULKARNI, MV
JAMES, GAA
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JAMES, GAA
HASSON, JC
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HASSON, JC
机构
:
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1972年
/ ED19卷
/ 10期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1972.17556
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1098 / &
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共 4 条
[1]
NONDESTRUCTIVE OPTICAL TECHNIQUE FOR ELECTRICALLY TESTING INSULATED-GATE INTEGRATED CIRCUITS
KEEN, JM
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KEEN, JM
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1971,
7
(15)
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[J].
SURFACE SCIENCE,
1966,
4
(02)
: 109
-
&
[3]
PLANTINGA GH, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P394
[4]
WARNER RW, 1965, INTEGRATED CIRCUITS, P149
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[1]
NONDESTRUCTIVE OPTICAL TECHNIQUE FOR ELECTRICALLY TESTING INSULATED-GATE INTEGRATED CIRCUITS
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MEMMING, R
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SCHWANDT, G
[J].
SURFACE SCIENCE,
1966,
4
(02)
: 109
-
&
[3]
PLANTINGA GH, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P394
[4]
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