FULLY ION-IMPLANTED GAAS ICS USING NORMALLY-OFF JFETS

被引：8

作者：

KASAHARA, J

TAIRA, K

KATO, Y

DOHSEN, M

WATANABE, N

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810436

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：621 / 623

页数：3

相关论文

共 5 条

[1]

KASAHARA J, 1981, APPL PHYS LETT, V38, P798, DOI 10.1063/1.92135

[2] CAPLESS ANNEAL OF ION-IMPLANTED GAAS IN CONTROLLED ARSENIC VAPOR [J].

KASAHARA, J ;

ARAI, M ;

WATANABE, N .

[3] PLANAR GAAS NORMALLY-OFF JFET FOR HIGH-SPEED LOGIC-CIRCUITS [J].

KATO, Y ;

DOHSEN, M ;

KASAHARA, J ;

WATANABE, N .

[4]

NOTTHOFF JK, 1980, 2ND INT GAAS IC S LA

[5]

TROEGER GL, 1979, IEDM, P497