UNUSUAL C-V PROFILES OF SI-IMPLANTED (211) GAAS SUBSTRATES AND UNUSUALLY LOW-NOISE MESFETS FABRICATED ON THEM

被引：12

作者：

BANERJEE, I

CHYE, PW

GREGORY, PE

机构：

[1] Avantek Inc, Santa Clara, CA, USA, Avantek Inc, Santa Clara, CA, USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.20397

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：10 / 12

页数：3

共 6 条

[1]

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