EVALUATION OF PASSIVATED ION-IMPLANTED PLANAR SILICON DETECTORS FOR THE SPECTROSCOPY AND ASSAY OF LOW-ENERGY ELECTRONS

被引：10

作者：

BATTEN, JR ^{[1
]}

机构：

[1] ROYAL MELBOURNE INST TECHNOL,DEPT APPL PHYS,MED RADIAT GRP,MELBOURNE,VIC 3001,AUSTRALIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-9002(89)90778-X

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：478 / 484

页数：7

共 6 条

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