PREPARATION AND PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON

被引：312

作者：

CHITTICK, RC

ALEXANDE.JH

STERLING, HF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2411779

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：77 / &

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共 5 条

[1] ADIROVICH EI, 1964, SOV PHYS DOKL, V9, P296
[2] STRUCTURE OF AMORPHOUS SILICON FILMS
COLEMAN, MV
THOMAS, DJD
[J]. PHYSICA STATUS SOLIDI, 1967, 24 (02): : K111 - &
[3] GRIGOROVICI R, 1967, THIN SOLID FILMS, V1, P343
[4] Jonscher AK., 1967, THIN SOLID FILMS, V1, P367, DOI [10.1016/0040-6090(68)90026-6, DOI 10.1016/0040-6090(68)90026-6]
[5] CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION PROMOTED BY RF DISCHARGE
STERLING, HF
SWANN, RCG
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1965, 8 (08) : 653 - &