CONDUCTIVITY AND HALL MOBILITY OF ION-IMPLANTED SILICON IN SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE

被引：20

作者：

SANSBURY, JD

GIBBONS, JF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1652663

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：311 / &

共 9 条

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