CHARGE STORAGE EFFECTS IN MISS DIODES

被引：9

作者：

ADAN, A ^{[1
]}

ZOLOMY, I ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV BUDAPEST,CHAIR ELECTR DEVICES,H-1521 BUDAPEST,HUNGARY

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1980年 / 57卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210570110

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：113 / 116

页数：4

共 7 条

[1]

ADAN A, UNPUBLISHED

[2]

KROGER H, 1978, SOLID STATE ELECTRON, V21, P643, DOI 10.1016/0038-1101(78)90331-3

KROGER, H ;

WEGENER, HAR .

[4]

RODRIGUES F, 1976, THESIS ISPJAE HAVANA

SIMMONS, JG ;

ELBADRY, A .

[6] THIN-MIS-STRUCTURE SI NEGATIVE-RESISTANCE DIODE [J].

YAMAMOTO, T ;

MORIMOTO, M .

[7]

YAMAMOTO T, 1976, SOLID STATE ELECTRON, V19, P201