OPTICAL-ABSORPTION ON LOCALIZED LEVELS IN GALLIUM-ARSENIDE

被引：66

作者：

BOIS, D ^{[1
]}

PINARD, P ^{[1
]}

机构：

[1] INST NATL SCI APPL,LAB PHYS MATIERE,LYON,FRANCE

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1974年 / 9卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.9.4171

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：4171 / 4177

页数：7

共 32 条

[11]

Brodovoi V. A., 1971, Fizika Tverdogo Tela, V13, P2406

[12]

BRODOVOI VA, 1972, FIZ TVERD TELA+, V13, P2015

[13]

CURIE D, 1960, LUMINESCENCE CRISTAL

[14]

DEXTER DL, 1958, SOLID STATE PHYSICS, V6

[15]

FABRE E, 1970, CR ACAD SCI B PHYS, V270, P848

[16]

FITCHEN DB, 1968, PHYSICS COLOR CTR

[17]

GORELENOK AT, 1971, SOV PHYS SEMICOND+, V5, P95

HASEGAWA, F .

[19] A THEORY OF EDGE-EMISSION PHENOMENA IN CDS, ZNS AND ZNO [J].

HOPFIELD, JJ .

[20]

HUGHES FD, 1972, ACTA ELECTRON, V15, P43