INFLUENCE OF SILICON SLICE CURVATURE ON THERMALLY INDUCED STRESSES

被引：24

作者：

HUFF, HR

BRACKEN, RC

REA, SN

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2407930

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：143 / &

共 18 条

[1]

Alexander H., 1969, SOLID STATE PHYS, V22, P27, DOI DOI 10.1016/S0081-1947(08)60031-4

COHEN, BG ;

FOCHT, MW .

[3]

CRANDALL SH, 1959, INTRO MECH SOLIDS, P199

[4]

Dale J. R., 1969, Semiconductor silicon, P622

[5]

Dusinberre GM, 1961, HEAT TRANSFER CALCUL

HU, SM .

[7]

Huff H. R., 1969, Semiconductor silicon, P610

[8]

HUFF HR, 1970, AICHE MESD BIENNIAL, V122

[9] THERMAL STRESS AND PLASTIC DEFORMATION OF THIN SILICON SLICES [J].

MORIZANE, K ;

GLEIM, PS .

PATEL, JR ;

CHAUDHURI, AR .

PHYSICAL REVIEW, 1966, 143 (02) :601-+