ANISOTROPIC ETCHING OF SILICON BY GAS PLASMA

被引：12

作者：

KINOSHITA, H ^{[1
]}

JINNO, K ^{[1
]}

机构：

[1] TOKYO SHIBAURA ELECT CO LTD,TOSHIBA RES & DEV CTR,SAIWAI KU,KAWASAKI,KANAGAWA,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1977年 / 16卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.381

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：381 / 382

页数：2

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共 3 条

[1]

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