PULSED ELECTRON-BEAM ANNEALING OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON

被引：11

作者：

YAMAMOTO, Y ^{[1
]}

INADA, T ^{[1
]}

SUGIYAMA, T ^{[1
]}

TAMURA, S ^{[1
]}

机构：

[1] HOSEI UNIV,COLL ENGN,KOGANEI,TOKYO 184,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.329876

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：276 / 283

页数：8

共 13 条

[11] SCANNING-ELECTRON-BEAM ANNEALING OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON [J].

REGOLINI, JL ;

GIBBONS, JF ;

SIGMON, TW ;

PEASE, RFW ;

MAGEE, TJ ;

PENG, J .

WILLIAMS, JS ;

BROWN, WL ;

LEAMY, HJ ;

POATE, JM ;

RODGERS, JW ;

ROUSSEAU, D ;

ROZGONYI, GA ;

SHELNUTT, JA ;

SHENG, TT .

[13]

YIYAO M, 1979, APPL PHYS LETT, V35, P227