HIGH SENSITIVITY HALL PLATES USING EPITAXIAL GAAS

被引:1
作者
NADKARNI, SS
COHEN, E
机构
关键词
D O I
10.1088/0022-3727/4/5/414
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:729 / &
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共 6 条
[1]  
COUPLAND K, 1965, Patent No. 1986470
[2]  
FRELLER H, 1966, 1966 P C APPL THIN F
[3]  
FREY J, 1968, GALLIUM ARSENIDE
[4]  
LAVINE B, 1963, IBM J, V7, P17
[5]   EPITAXIAL GALLIUM ARSENIDE AS HALL ELEMENTS [J].
THANAILAKIS, AO ;
COHEN, E .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1969, 12 (12) :997-+
[6]  
WEISS H, 1969, STRUCTURE APPLICATIO