NEAR BAND-EDGE PHOTOLUMINESCENCE OF ZN, CD, SI AND GE DOPED EPITAXIAL GAAS

被引：11

作者：

OZEKI, M ^{[1
]}

NAKAI, K ^{[1
]}

DAZAI, K ^{[1
]}

RYUZAN, O ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,KOBE,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.478

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：478 / 479

页数：2

共 6 条

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