A DOUBLE DIFFUSED SILICON HIGH-FREQUENCY SWITCHING TRANSISTOR PRODUCED BY OXIDE MASKING TECHNIQUES

被引：5

作者：

ASCHNER, JF

BITTMANN, CA

HARE, WFJ

KLEIMACK, JJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2427370

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：415 / 417

页数：3

共 5 条

[1]

DERICK L, 1957, Patent No. 2802760

FROSCH, CJ ;

DERICK, L .

[3] DIFFUSION OF DONOR AND ACCEPTOR ELEMENTS IN SILICON [J].

FULLER, CS ;

DITZENBERGER, JA .

[4] A HIGH-FREQUENCY DIFFUSED BASE GERMANIUM TRANSISTOR [J].

LEE, CA .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1956, 35 (01) :23-34

[5]

TANENBAUM M, 1956, AT&T TECH J, V35, P1