ELECTROCHEMICAL DOPING OF SILICON WITH ARSENIC - REPLY

被引：4

作者：

ANTULA, J

机构：

[1] 8 München 12

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1979年 / 50卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.326443

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

The explanation proposed by Northorp cannot be correct.

引用

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页数：1

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共 2 条

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