HIGH-RATE MASKED ETCHING OF GAAS BY MAGNETRON ION ETCHING

被引：28

作者：

CONTOLINI, RJ ^{[1
]}

DASARO, LA ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1986年 / 4卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583601

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：706 / 713

页数：8

共 22 条

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