学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

ON THE THEORY OF THE ISOTHERMAL HALL EFFECT IN SEMICONDUCTORS

被引：15
作者：
BANBURY, PC
HENISCH, HK
MANY, A
机构：
来源：
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION A | 1953年 / 66卷 / 404期
关键词：
D O I：
10.1088/0370-1298/66/8/312
中图分类号：
O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];
学科分类号：
07 ; 0710 ; 09 ;
摘要：
引用
收藏
页码：753 / 758
页数：6
相关论文
共 6 条
[1]   THEORY OF RELATION BETWEEN HOLE CONCENTRATION AND CHARACTERISTICS OF GERMANIUM POINT CONTACTS [J].
BARDEEN, J .
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1950, 29 (04) :469-495
[2]  
FOWLER RH, 1935, STATISTICAL MECHANIC
[3]  
LANDAUER R, 1953, B AM PHYS SOC, V28, P9
[4]   STATISTICS OF THE RECOMBINATIONS OF HOLES AND ELECTRONS [J].
SHOCKLEY, W ;
READ, WT .
PHYSICAL REVIEW, 1952, 87 (05) :835-842
[5]   THE THEORY OF P-N JUNCTIONS IN SEMICONDUCTORS AND P-N JUNCTION TRANSISTORS [J].
SHOCKLEY, W .
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1949, 28 (03) :435-489
[6]  
WELKER H, 1951, Z NATURFORSCH A, V6, P184
1