THE GROWTH OF GALLIUM-ARSENIDE ON SI(100) BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：2

作者：

MOORE, WT ^{[1
]}

DEVINE, RLS ^{[1
]}

MAIGNE, P ^{[1
]}

HOUGHTON, DC ^{[1
]}

BARIBEAU, JM ^{[1
]}

DENHOFF, MW ^{[1
]}

JACKMAN, TE ^{[1
]}

KORNELSEN, EV ^{[1
]}

SPRINGTHORPE, AJ ^{[1
]}

MANDEVILLE, P ^{[1
]}

机构：

[1] BELL NO RES,OTTAWA K1Y 4H7,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1139/p87-141

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：904 / 908

页数：5