OHMIC CONTACTS ON NORMAL-GAAS PRODUCED BY SPARK ALLOYING

被引：2

作者：

DANGELO, R

VERLANGIERI, PA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810203

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：290 / 291

页数：2

共 8 条

[1]

[Anonymous], 1957, RECTIFYING SEMICONDU

[2] OHMIC CONTACTS ON N-GAAS PRODUCED BY LASER ALLOYING OF GE FILMS [J].

BADERTSCHER, G ;

SALATHE, RP ;

LUTHY, W .

[3]

BELL AE, 1979, RCA REV, V40, P295

[4]

DAVIS PE, 1979, METAL FINISHING GUID, V77, P312

KELLY, WM ;

WRIXON, GT .

MILLER, DC .

[7] LASER-ALLOYED STRIPE-GEOMETRY DH LASERS [J].

SALATHE, R ;

BADERTSCHER, G ;

LUTHY, W ;

REINHART, FK ;

LOGAN, RA .

[8]

WILLARDSON RK, 1971, SEMICONDUCTORS SEMIM, P178