RETENTION IN THIN FERROELECTRIC FILMS

被引：26

作者：

SHARMA, BS ^{[1
]}

VOGEL, SF ^{[1
]}

PRENTKY, PI ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,GEN PROD DIV,SAN JOSE,CA 95193

来源：

关键词：

D O I：

10.1080/00150197308235781

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：69 / 75

页数：7

共 7 条

ATKIN, RB .

[2] THIN-FILM FERROELECTRIC-PHOTOCONDUCTOR MEMORY DEVICE [J].

CHAPMAN, DW .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1972, 9 (01) :425-&

[3]

CHAPMAN DW, 1969, J APPL PHYS, V40, P238

FRASER, DB ;

MALDONADO, JR .

[5]

MEHTA RR, 1972, B AM PHYS SOC, V17, P103

VOGEL, SF ;

BARLOW, IC .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1973, 10 (02) :381-385

[7]

VOGEL SF, TO BE PUBLISHED