THEORY AND APPLICATIONS OF NEAR BALLISTIC TRANSPORT IN SEMICONDUCTORS

被引:40
作者
HESS, K
IAFRATE, GJ
机构
[1] UNIV ILLINOIS,BECKMAN INST,DEPT ELECT & COMP ENGN,URBANA,IL 61801
[2] USA,ELECTR TECHNOL & DEVICES LAB,FT MONMOUTH,NJ 07703
关键词
D O I
10.1109/5.4439
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:519 / 532
页数:14
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