ACTIVATION ANALYTICAL INVESTIGATION OF CONTAMINATION AND CROSS-CONTAMINATION IN ION-IMPLANTATION

被引：20

作者：

HAAS, EW ^{[1
]}

GLAWISCHNIG, H ^{[1
]}

LICHTI, G ^{[1
]}

BLEIER, A ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,DIV SEMICOND,D-8000 MUNICH 80,FED REP GER

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1978年 / 7卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02655416

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：525 / 533

页数：9

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共 6 条

[1]

ANDERSEN HH, 1975, J APP PHYS, V46, P5

[2]

[Anonymous], 1967, ATZPRAXIS HALBLEITER

[3]

GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT

[4] IMPLANTATION OF ARGON INTO SIO2-FILMS DUE TO BACKSPUTTER CLEANING [J].

KOCH, FB ;

MEEK, RL ;

MCCAUGHAN, DV .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1974, 121 (04) :558-562

[5]

MARTIN JA, 1973, Z ANAL CHEM, V265, P122

[6]

SIGMUND P, 1969, PHYS REV, V184, P2