EPITAXIAL VAPOR GROWTH OF ZNTE ON INAS

被引：15

作者：

MORIIZUMI, T

TAKAHASHI, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1970年 / 9卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.9.849

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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共 4 条

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[2] KOT MV, 1965, FIZ TVERD TELA+, V7, P1001
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