THICKNESS DEPENDENCE OF OXIDE BREAKDOWN UNDER HIGH-FIELD AND CURRENT STRESS

被引：19

作者：

LIANG, MS ^{[1
]}

CHOI, JY ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,ELECTR RES LAB,BERKELEY,CA 94720

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.97867

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：104 / 106

页数：3

共 7 条

[1]

BOGLEE DA, 1985, INT ELECTRON DEVICE, P624

[2]

CHEN IC, 1985, IEEE J SOLID-ST CIRC, V20, P333

[3] SUBSTRATE HOLE CURRENT AND OXIDE BREAKDOWN [J].

CHEN, IC ;

HOLLAND, S ;

YOUNG, KK ;

CHANG, C ;

HU, C .

[4]

HOLLAND S, 1985, IEEE ELECTRON DEVICE, V6, P205

[5]

Liang M.-S., 1984, International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No. 84CH2099-0), P152

[6] HIGH-FIELD CURRENT INDUCED-POSITIVE CHARGE TRANSIENTS IN SIO2 [J].

NISSANCOHEN, Y ;

SHAPPIR, J ;

FROHMANBENTCHKOWSKY, D .

WEINBERG, ZA ;

FISCHETTI, MV ;

NISSANCOHEN, Y .