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VERY STEEP PROFILE RESIST PATTERN PREPARATION BY REACTIVE ION ETCHING WITH AR+CH4 GAS-MIXTURE
被引:2
作者
:
WATANABE, I
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0
WATANABE, I
YOSHIHARA, H
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YOSHIHARA, H
SAITOH, Y
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SAITOH, Y
MATSUO, S
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MATSUO, S
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1981年
/ 20卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.20.L804
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L804 / L806
页数:3
相关论文
共 3 条
[1]
MATTA RK, 1965, 1965 P EL SOC SPRING, P32
[2]
QUEISSER HJ, 1977, XRAY OPTICS, P35
[3]
HIGH-RESOLUTION PATTERN REPLICATION USING SOFT X-RAYS
SPEARS, DL
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SPEARS, DL
SMITH, HI
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SMITH, HI
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1972,
8
(04)
: 102
-
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共 3 条
[1]
MATTA RK, 1965, 1965 P EL SOC SPRING, P32
[2]
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[3]
HIGH-RESOLUTION PATTERN REPLICATION USING SOFT X-RAYS
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1972,
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