EFFECT OF CRYSTAL ORIENTATION ON OXIDATION RATES OF SILICON IN HIGH PRESSURE STEAM

被引：130

作者：

LIGENZA, JR

机构：

来源：

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY | 1961年 / 65卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1021/j100828a020

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：2011 / &

相关论文

共 3 条

[1] THE MECHANISMS FOR SILICON OXIDATION IN STEAM AND OXYGEN
LIGENZA, JR
SPITZER, WG
[J]. JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1960, 14 : 131 - 136
[2] LIGENZA JR, J ELECTROCHEM SOC
[3] OXYGEN EXCHANGE BETWEEN SILICA AND HIGH PRESSURE STEAM
SPITZER, WG
LIGENZA, JR
[J]. JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1961, 17 (3-4) : 196 - 202