共 11 条
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VOIGT W, 1912, MUNCH BER, P603
TEMPERATURE DEPENDENCE OF ABSORPTION LINE WIDTH IN BORON-DOPED SILICON
被引：6
作者：
COLBOW, K
BICHARD, JW
GILES, JC
机构：
关键词：
D O I：
10.1139/p62-152
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
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页码：1436 / &
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