COMPUTER-SIMULATION OF SI AND GE ADATOMS AND THIN-LAYERS ON SI SUBSTRATES

被引：3

作者：

ASHU, P

MATTHAI, CC

机构：

来源：

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER | 1989年 / 1卷

关键词：

D O I：

10.1088/0953-8984/1/SB/004

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页码：SB17 / SB20

页数：4

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