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EXTRINSIC-INTRINSIC STACKING-FAULT PAIRS IN EPITAXIAL SILICON

被引：5
作者：
WASHBURN, J
THOMAS, G
QUEISSER, HJ
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1963年 / 3卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1723567
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：44 / 44
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共 3 条
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