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INGAAS METAL-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH LANGMUIR-BLODGETT DEPOSITED GATE STRUCTURE
被引:7
作者
:
CHAN, WK
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0
CHAN, WK
CHANG, GK
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CHANG, GK
BHAT, R
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BHAT, R
SCHLOTTER, NE
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SCHLOTTER, NE
机构
:
来源
:
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1988年
/ 9卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1109/55.696
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:220 / 222
页数:3
相关论文
共 12 条
[11]
PEARSALL TP, 1982, GAINASP ALLOY SEMICO, P456
[12]
AN APPLIED SCIENCE PERSPECTIVE OF LANGMUIR-BLODGETT FILMS
ROBERTS, GG
论文数:
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ROBERTS, GG
[J].
ADVANCES IN PHYSICS,
1985,
34
(04)
: 475
-
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[11]
PEARSALL TP, 1982, GAINASP ALLOY SEMICO, P456
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ROBERTS, GG
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ROBERTS, GG
[J].
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1985,
34
(04)
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