INGAAS METAL-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH LANGMUIR-BLODGETT DEPOSITED GATE STRUCTURE

被引:7
作者
CHAN, WK
CHANG, GK
BHAT, R
SCHLOTTER, NE
机构
关键词
D O I
10.1109/55.696
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:220 / 222
页数:3
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