4096-B ONE-TRANSISTOR PER BIT RANDOM-ACCESS MEMORY WITH INTERNAL TIMING AND LOW DISSIPATION

被引：6

作者：

BOONSTRA, L ^{[1
]}

LAMBRECHTSE, CW ^{[1
]}

SALTERS, RHW ^{[1
]}

机构：

[1] PHILIPS RES LABS, EINDHOVEN, NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050408

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：305 / 310

页数：6

共 5 条

[1]

COHEN L, 1971, ELECTRONICS 0802, P69

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