FORMATION OF SELF-DISORDER AGGLOMERATES IN DISLOCATION-FREE SILICON DURING CRYSTAL-GROWTH

被引：14

作者：

TEMPELHOFF, K

VANSUNG, N

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1982年 / 70卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210700211

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：441 / 449

页数：9

共 6 条

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