IMPROVEMENTS ON THE PEDESTAL METHOD OF GROWING SILICON AND GERMANIUM CRYSTALS

被引：61

作者：

DASH, WC

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1960年 / 31卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1735682

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：736 / 737

页数：2

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共 3 条

[1] SILICON CRYSTALS FREE OF DISLOCATIONS
DASH, WC
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1958, 29 (04) : 736 - 737
[2] GROWTH OF SILICON CRYSTALS FREE FROM DISLOCATIONS
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[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1959, 30 (04) : 459 - 474
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