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INTERPRETATION OF DONOR STATE ABSORPTION LINES IN SILICON
被引:20
作者
:
KOHN, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOHN, W
机构
:
来源
:
PHYSICAL REVIEW
|
1955年
/ 98卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1103/PhysRev.98.1856
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:1856 / 1857
页数:2
相关论文
共 4 条
[1]
EXCITED DONOR LEVELS IN SILICON
[J].
KLEINER, WH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KLEINER, WH
.
PHYSICAL REVIEW,
1955,
97
(06)
:1722
-1723
[2]
THEORY OF DONOR LEVELS IN SILICON
[J].
KOHN, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOHN, W
.
PHYSICAL REVIEW,
1955,
97
(06)
:1721
-1721
[3]
THEORY OF DONOR STATES IN SILICON
[J].
KOHN, W
论文数:
0
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0
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0
KOHN, W
;
LUTTINGER, JM
论文数:
0
引用数:
0
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0
LUTTINGER, JM
.
PHYSICAL REVIEW,
1955,
98
(04)
:915
-922
[4]
1955, PHYS REV A, V98, P1561
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共 4 条
[1]
EXCITED DONOR LEVELS IN SILICON
[J].
KLEINER, WH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KLEINER, WH
.
PHYSICAL REVIEW,
1955,
97
(06)
:1722
-1723
[2]
THEORY OF DONOR LEVELS IN SILICON
[J].
KOHN, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOHN, W
.
PHYSICAL REVIEW,
1955,
97
(06)
:1721
-1721
[3]
THEORY OF DONOR STATES IN SILICON
[J].
KOHN, W
论文数:
0
引用数:
0
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0
KOHN, W
;
LUTTINGER, JM
论文数:
0
引用数:
0
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0
LUTTINGER, JM
.
PHYSICAL REVIEW,
1955,
98
(04)
:915
-922
[4]
1955, PHYS REV A, V98, P1561
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