THEORY OF DONOR LEVELS IN SILICON

被引：111

作者：

KOHN, W

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1955年 / 97卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.97.1721

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

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页码：1721 / 1721

页数：1

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共 3 条

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