REGROWTH OF AMORPHOUS LAYERS CREATED BY HIGH-DOSE ANTIMONY IMPLANTATION IN 100 SILICON

被引：15

作者：

TAMMINGA, Y ^{[1
]}

JOSQUIN, WJM ^{[1
]}

机构：

[1] PHILIPS RES LABS,EINDHOVEN,NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89828

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：13 / 15

页数：3

共 7 条

[1]

CSEPREGI L, UNPUBLISHED

[2]

GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT

[3]

JOSQUIN WJM, UNPUBLISHED

[4] ZUR EINFACHSTREUUNG UND MEHRFACHSTREUUNG GELADENER TEILCHEN [J].

KEIL, E ;

ZEITLER, E ;

ZINN, W .

ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1960, 15 (12) :1031-1038

[5]

KENNEDY EP, UNPUBLISHED

[6]

SCEPREGI L, 1975, PHYS LETT A, V54, P157

[7] SOLID SOLUBILITIES OF IMPURITY ELEMENTS IN GERMANIUM AND SILICON [J].

TRUMBORE, FA .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1960, 39 (01) :205-233