A MILLION-CYCLE CMOS 256K EEPROM

被引：11

作者：

CIOACA, D ^{[1
]}

LIN, T ^{[1
]}

CHAN, A ^{[1
]}

CHEN, L ^{[1
]}

MIHNEA, A ^{[1
]}

机构：

[1] SEEQ TECHNOL INC,SAN JOSE,CA 95131

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1987年 / 22卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1987.1052800

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

10

引用

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页码：684 / 692

页数：9

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共 10 条

[1] A TEMPERATURE-TOLERANT AND PROCESS-TOLERANT 64K EEPROM [J].

BILL, CS ;

SUCIU, PI ;

BRINER, MS ;

RINERSON, DD .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1985, 20 (05) :979-985

[2]

BROWN WD, 1979, SOLID STATE TECHNOL, P77

[3]

CHEN L, 1985, DEC IEDM, P620

[4]

CIOACA D, 1987, FEB ISSCC, P78

[5]

GUPTA A, 1982, FEB ISSCC, P184

[6]

JENQ CS, 1982, DEC IEDM, P811

[7]

JENQ CS, 1983, DEC IEDM WASH, P585

[8] A 35-NS 64K EEPROM [J].

JOLLY, RD ;

TESCH, R ;

CAMPBELL, KJ ;

TENNANT, DL ;

OLUND, JF ;

LEFFERTS, RB ;

CREMEN, BT ;

ANDREWS, PA .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1985, 20 (05) :971-978

[9]

LAI SK, 1986, DEC IEDM, P580

[10]

MEHROTRA S, 1984, FEB ISSCC, P142