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MELTING PHENOMENA WITH SILICON
被引:4
作者
:
GOODMAN, CHL
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GOODMAN, CHL
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1961年
/ 3卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(61)90083-1
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:72 / &
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[1]
THE REGROWN-DIFFUSED TRANSISTOR
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-
&
[4]
Pfann W., 1955, J MET, V7, P961
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THE REGROWN-DIFFUSED TRANSISTOR
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1958,
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