MICROWAVE PERFORMANCE OF A1INAS-GAINAS HEMTS WITH 0.2-MU-M AND 0.1-MU-M GATE LENGTH

被引：128

作者：

MISHRA, UK ^{[1
]}

BROWN, AS ^{[1
]}

ROSENBAUM, SE ^{[1
]}

HOOPER, CE ^{[1
]}

PIERCE, MW ^{[1
]}

DELANEY, MJ ^{[1
]}

VAUGHN, S ^{[1
]}

WHITE, K ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES,S&CG,EL SEGUNDO,CA

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/55.20424

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：647 / 649

页数：3

共 10 条

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