APPROXIMATING TRANSIENT-RESPONSE OF DOUBLE-HETEROJUNCTION DEVICES

被引：6

作者：

FONSTAD, CG ^{[1
]}

ARMIENTO, CA ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,CTR MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

基金：

美国国家科学基金会;

关键词：

D O I：

10.1063/1.325086

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2435 / 2438

页数：4

共 5 条

ARMIENTO, CA ;

FONSTAD, CG .

ETTENBERG, M ;

NUESE, CJ ;

OLSEN, GH .

ETTENBERG, M ;

KRESSEL, H .

[4]

MANY A, 1965, SEMICONDUCTOR SURFAC, P257

[5]

Shockley W., 1950, ELECT HOLES SEMICOND, P318