STOICHIOMETRY AND MASKING ABILITY OF LPCVD SILICON-NITRIDE AGAINST ARSENIC DIFFUSION

被引：8

作者：

DIXIT, A

CHEN, CS

VOLK, CE

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1980年 / 127卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129383

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：2239 / 2242

页数：4

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共 4 条

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