HIGH-SPEED C-MOS IC USING BURIED SIO2 LAYERS FORMED BY ION-IMPLANTATION

被引：16

作者：

IZUMI, K

DOKEN, M

ARIYOSHI, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.19S1.151

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：151 / 154

页数：4

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共 3 条

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