OPTIMUM LOAD ADMITTANCE FOR A MICROWAVE-POWER TRANSISTOR

被引：3

作者：

TUCKER, RS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1980.11650

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：410 / 411

页数：2

共 5 条

[1] BROAD-BAND INTERNAL MATCHING OF MICROWAVE-POWER GAAS MESFETS [J].

HONJO, K ;

TAKAYAMA, Y ;

HIGASHISAKA, A .

[2] RF AMPLIFIER DESIGN WITH LARGE-SIGNAL S-PARAMETERS [J].

LEIGHTON, WH ;

CHAFFIN, RJ ;

WEBB, JG .

TUCKER, RS .

[4]

TUCKER RS, UNPUBLISHED

[5]

VENDELIN GD, 1977 IEEE AS C CIRC, P139